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如何判断主板的开关场效应管是否击穿
本文关键词：
通过测量CPU主供电电路特定测试点的对地阻值，可以方便、准确地判断开关场管是否击穿。判断的依据是
前级测试点的对地阻值是否因为场管的短路被后级测试点的对地阻值拉低或拉平。
正常测试点的对地阻值因故障元件而被故障测试点拉平或拉低，是最为重要的概念之一。
主板维修培训授课时为了方便，把CPU主供电电路的测试点按照其直通等价性分为三组测试点：电能输入、
Vcore和场管驱动G极。
Vcore和场管驱动G极。
·电能输入测试点包括4Pin12V、所有上管的D极。
·Vcore测试点（开关侧和直流侧）包括所有上管的S、所有下管的D极、电感的两端。
·场管驱动G极测试点包括所有开关管的G极。
电能输入测试点的正常阻值与Vcore测试点有相对性，前者应该明显高于后者的对地阻值。Vcore测试点的对
地阻值在450 Q左右。再次强调，对地阻值的测量必须裸板。如果安装了CPU， 那么Vcore测试点的对地阻值
会很低，甚至只有个位数。场管驱动G极测试点的正常对地阻值在650 Q左右。
如果电能输入测试点的对地阻值与Vcore测试点的阻值相同， 基本可以判定上管中的一组中有DS击穿。这是
因为当上管DS击穿后，虽然测量的是电能输入测试点的对地阻值，但实际是在测量Vcore测试点的对地阻值。
也就是说，前者被后者拉低或拉平了。若电能输入测试点的对地阻值接近短路，那不仅说明上管DS有击穿，
还可能同时伴随下管DS击穿。
当判断出场管DS有击穿后，需要整组吹下后逐个判断好坏。只有场管为DG击穿或GS击穿时，才能直接用万用
表对单个场管的好坏进行精确的判断。
而上管GD击穿且当电源管理芯片驱动脚也对地时，电能输入测试点的对地阻值也会被拉低到地。
Vcore测试点的对地阻值在安装CPU或不安装CPU时有明显的差别，前者接近对地短路，甚至会小到 3Q，后者
则通常大于100 Q。这个区别是利用对地阻值判断下管是否有DS击穿的依据。也就是说，在不安装CPU时测量
Vcore测试点的对地阻值，如果其对地阻值偏小甚至是OQ，那么最有可能的情况是下管有DS击穿。另一个可能
是使用Vcore供电的北桥短路，这种情况见于845北桥，使用775CPU的北桥不使用Vcore供电。